独自エピタキシャルGeナノドット含有SiGe薄膜による低熱伝導率化
独自エピタキシャルGeナノドット含有SiGe薄膜による低熱伝導率化
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通过含有独特外延Ge纳米点的SiGe薄膜实现低热导率
DOI：
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发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
谷口 達彦
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ryo Murakami;Mitsuki Yukimune;Fumitaro Ishikawa;小松原 祐樹;Masateru Taniguchi;谷口 達彦
