Growth of Si Clathrate Films with Various Annealing Conditions
Growth of Si Clathrate Films with Various Annealing Conditions
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不同退火条件下Si笼形薄膜的生长
DOI：
10.7567/jjapcp.8.011101
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kume T.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Tanaka K.;Kumar R.;Maeda T.;Ohashi F.;Jha H. S.;Kume T.
