Hole mobility enhancement in extremely-thin body asymmetrically-strained (100) GOI pMOSFETs
Hole mobility enhancement in extremely-thin body asymmetrically-strained (100) GOI pMOSFETs
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极薄体不对称应变 (100) GOI pMOSFET 中的空穴迁移率增强
DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Takenaka and S. Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
C. -T. Chen;R. Yokogawa;K. Toprasertpong;A. Ogura;M. Takenaka and S. Takagi
