Theoretical studies on the charge trap mechanism of MONOS type memories - Relationship between atomistic information and program/erase actions
Theoretical studies on the charge trap mechanism of MONOS type memories - Relationship between atomistic information and program/erase actions
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MONOS型存储器电荷陷阱机制的理论研究-原子信息与编程/擦除动作的关系
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Shiraishi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Otake;K. Yamaguchi;K. Kobayashi;K. Shiraishi
