Naoki Ohshima, Hiroo Yonezu, Seiji Yamahira and Kangsa Pak: "Initial Growth of GaN on Sapphire (0001) Using An Amorphous Buffer Layr Formed at Room Temperature by RF-MBE" Journal of Crystal Growth. to be published. (1998)
Naoki Ohshima, Hiroo Yonezu, Seiji Yamahira and Kangsa Pak: "Initial Growth of GaN on Sapphire (0001) Using An Amorphous Buffer Layr Formed at Room Temperature by RF-MBE" Journal of Crystal Growth. to be published. (1998)
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Naoki Ohshima、Hiroo Yonezu、Seiji Yamahira 和 Kangsa Pak：“使用 RF-MBE 在室温下形成的非晶缓冲层在蓝宝石 (0001) 上初始生长 GaN”晶体生长期刊。
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