Electroluminescence from MOS Devices with (Tb + Ba) Doped Oxide under DC and Pulse Voltage
Electroluminescence from MOS Devices with (Tb + Ba) Doped Oxide under DC and Pulse Voltage
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直流和脉冲电压下 (Tb Ba) 掺杂氧化物 MOS 器件的电致发光
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and T. Ohzone
中科院分区：
文献类型：
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作者：
R. Fukuoka;T. Matsuda;H. Iwata;and T. Ohzone
