Y.Matsumoto, T.Hanajiri, T.Toyabe and T.Sugano: ""Advantages of the Asymmetric Tunnel Barrier for High-Density Integration of Single Electron Devices"" Jpn.J.Appl.Phys.vol.36. 4143-4146 (1997)
Y.Matsumoto, T.Hanajiri, T.Toyabe and T.Sugano: ""Advantages of the Asymmetric Tunnel Barrier for High-Density Integration of Single Electron Devices"" Jpn.J.Appl.Phys.vol.36. 4143-4146 (1997)
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Y.Matsumoto、T.Hanajiri、T.Toyabe 和 T.Sugano：“非对称隧道势垒在单电子器件高密度集成中的优势”Jpn.J.Appl.Phys.vol.36。
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