Valence- and conduction-band densities of states for tetrahedral semiconductors: Theory and experiment.
Valence- and conduction-band densities of states for tetrahedral semiconductors: Theory and experiment.
复制标题
四面体半导体的价态和导带态密度：理论和实验。
DOI：
10.1103/physrevb.40.9644
复制
发表时间：
1989
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Jin
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Chelikowsky;Wagener;Weaver;Jin
用赝势的经验方法和赝势的工作扩展到20 eV的价带的理论密度计算。X射线光电子能谱诱导和光电子能谱逆诱导的结果可能与实验者的谱带结构特征比较
Calcul des densites d'etats theoriques par la methode empirique du pseudopotentiel et extension du travail du pseudopotentiel a 20 eV au-dessus du niveau de la bande de valence. Les resultats de photoemission induite par rayons-X et de photoemission inverse rendent possible la comparaison des caracteristiques de la structure de bande avec les donnees experimentales