Atomic control of doping during SiGe epitaxy
Atomic control of doping during SiGe epitaxy
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SiGe 外延过程中掺杂的原子控制
DOI：
10.1016/s0040-6090(97)01127-9
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发表时间：
1998
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
B. Tillack
中科院分区：
文献类型：
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作者：
B. Tillack
