InAs nanowire field effect transistors
InAs nanowire field effect transistors
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InAs纳米线场效应晶体管
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
G.Zhang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yeong Hee CHO;Yasushi WATANABE;Nam KIM;Yusuke KAWAKAMI;M.Motosuke;G.Zhang
