Enhanced Si and B diffusion in semiconductor-grade SiO2 and the effect of strain on diffusion
Enhanced Si and B diffusion in semiconductor-grade SiO2 and the effect of strain on diffusion
复制标题
半导体级 SiO2 中 Si 和 B 的增强扩散以及应变对扩散的影响
DOI：
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
A.Oshiyama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
M.Uematsu;H.Kageshima;S.Fukatsu;K.M.Itoh;K.Shiraishi;M.Otani;A.Oshiyama
