Atomic-Layer-Deposited Ultrathin Si-Nitride Gate Dielectrics -A Better Choice for Sub-tunneling Gate Dielectrics-
Atomic-Layer-Deposited Ultrathin Si-Nitride Gate Dielectrics -A Better Choice for Sub-tunneling Gate Dielectrics-
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原子层沉积超薄氮化硅栅极电介质-亚隧道栅极电介质的更好选择-
DOI：
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发表时间：
2003
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Anri Nakajima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
三宅亜紀;Anri Nakajima;Anri Nakajima;Hiroko Kominami;葛西哲郎;大原賢治;A.Miyake;T.Aoki;石井紘之;三宅亜紀;石井紘之;A.Miyake;中村 篤志;Anri Nakajima;Y.Shimuzu;Anri Nakajima
