ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF EPITAXIAL GERMANIUM FILMS VACUUM DEPOSITED ON SEMI‐INSULATING GaAs UP TO THICKNESSES OF 106 Å
ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF EPITAXIAL GERMANIUM FILMS VACUUM DEPOSITED ON SEMI‐INSULATING GaAs UP TO THICKNESSES OF 106 Å
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真空沉积在厚度达 106 Å 的半绝缘 GaAs 上的外延锗薄膜的电特性
DOI：
10.1063/1.1754536
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发表时间：
1966
影响因子：
4
通讯作者：
J. Davey
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Davey
