量産SiC-MOSFETにおける超高エネルギーイオン誘起破壊耐性の評価
量産SiC-MOSFETにおける超高エネルギーイオン誘起破壊耐性の評価
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量产SiC-MOSFET的超高能离子诱导击穿电阻评估
DOI:
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发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
牧野 高紘
中科院分区:
文献类型:
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作者:
Widianto Muhammad Yusuf Hakim;Saito Mineo;牧野 高紘