CLASSIFICATION AND ORIGINS OF GAAS OVAL DEFECTS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY
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DOI：
10.1016/0022-0248(87)90529-x
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发表时间：
1987-01-01
影响因子：
1.8
通讯作者：
NAKAYAMA, T
中科院分区：
文献类型：
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作者：
FUJIWARA, K;KANAMOTO, K;NAKAYAMA, T
