Diffusion Coefficient of Interstitial Iron in Silicon
Diffusion Coefficient of Interstitial Iron in Silicon
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硅中间隙铁的扩散系数
DOI：
10.1143/jjap.28.1282
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发表时间：
1989
影响因子：
1.5
通讯作者：
K. Hashimoto
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Isobe;H. Nakashima;K. Hashimoto
用差示扫描量热法(DLTS)研究了800、900、1000和1070℃下掺铁硅中铁元素的深度分布。在800-1070℃温度范围内，间隙铁在硅中的扩散系数可表示为DFE=9.5×10-4exp(-0.65/kT)cm2s-1。
The in-depth profiles of iron in silicon diffused with iron at 800, 900, 1000 and 1070°C were investigated by DLTS measurements. The diffusion coefficient of interstitial iron in silicon was represented by the expression DFe=9.5×10-4 exp (-0.65/kT) cm2s-1 in the temperature range of 800–1070°C.