Rapid Temperature Oxidation at SiO2/Si(001) Interface Studied by Real-time X-ray Photoelectron Spectroscopy: Rapid Cooling versus Rapid Heating
Rapid Temperature Oxidation at SiO2/Si(001) Interface Studied by Real-time X-ray Photoelectron Spectroscopy: Rapid Cooling versus Rapid Heating
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通过实时 X 射线光电子能谱研究 SiO2/Si(001) 界面的快速温度氧化：快速冷却与快速加热
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Y. Takakuwa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Tang;S. Ogawa;A. Yoshigoe;S. Ishidzuka;and Y. Takakuwa
