Fabrication of self-organized GaInNAs quantum dots on GaAs (311)B by atomic hydrogen-assisted RF-molecular beam epitaxy
Fabrication of self-organized GaInNAs quantum dots on GaAs (311)B by atomic hydrogen-assisted RF-molecular beam epitaxy
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原子氢辅助射频分子束外延在 GaAs (311)B 上制备自组织 GaInNAs 量子点
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Yoshitaka Okada
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Ryuji Oshima;Kazuki Uehara;Hidemi Shigekawa;Yoshitaka Okada
