Y.Kawaguchi: "Selective area growth and epitaxial lateral overgrowth of wurtzite GaN on (111) Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy" 25th International Symposium on Compound Semiconductors,Nara.Tup-29 (1998)
Y.Kawaguchi: "Selective area growth and epitaxial lateral overgrowth of wurtzite GaN on (111) Si substrate by metalorganic vapor phase epitaxy" 25th International Symposium on Compound Semiconductors,Nara.Tup-29 (1998)
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Y.Kawaguchi：“通过金属有机气相外延在 (111) Si 衬底上选择纤锌矿 GaN 的选择性区域生长和外延横向过度生长”第 25 届国际化合物半导体研讨会，Nara.Tup-29 (1998)
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