Two Signal Power Level Design for Shunt-Connected Type GaN HEMT Doherty Power Amplifier without a Quarter-Wave Inverter
Two Signal Power Level Design for Shunt-Connected Type GaN HEMT Doherty Power Amplifier without a Quarter-Wave Inverter
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不带四分之一波逆变器的并联型 GaN HEMT Doherty 功率放大器的两个信号功率电平设计
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Kazuhiko Honjo
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yosuke Iguchi;Yoichiro Takayama;Ryo Ishikawa;Kazuhiko Honjo
