The controlled growth of GaN microrods on Si(111) substrates by MOCVD
The controlled growth of GaN microrods on Si(111) substrates by MOCVD
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2014.10.047
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发表时间：
2015-03
影响因子：
1.8
通讯作者：
B. Foltynski;N. Garro;M. Vallo;M. Finken;C. Giesen;H. Kalisch;A. Vescan;A. Cantarero;M. Heuken
中科院分区：
文献类型：
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作者：
B. Foltynski;N. Garro;M. Vallo;M. Finken;C. Giesen;H. Kalisch;A. Vescan;A. Cantarero;M. Heuken
