Investigation of Abnormal $V_{\rm TH}/V_{\rm FB}$ Shifts Under Operating Conditions in Flash Memory Cells With $ \hbox{Al}_{2}\hbox{O}_{3}$ High-$\kappa$ Gate Stacks
Investigation of Abnormal $V_{\rm TH}/V_{\rm FB}$ Shifts Under Operating Conditions in Flash Memory Cells With $ \hbox{Al}_{2}\hbox{O}_{3}$ High-$\kappa$ Gate Stacks
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调查具有 $ hbox{Al}_{2}hbox{O}_{3}$ High-$ 的闪存单元在工作条件下 $V_{ m TH}/V_{ m FB}$ 的异常偏移
DOI：
10.1109/ted.2012.2194294
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发表时间：
2012
影响因子：
3.1
通讯作者：
Baojun Tang
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Baojun Tang
