Adsorption geometry of PTCDA on 2H-NbSe2
Adsorption geometry of PTCDA on 2H-NbSe2
复制标题
PTCDA 在 2H-NbSe2 上的吸附几何形状
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
R. Berndt
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Kröger;H. Jensen;T. Jürgens;T. von Hofe;J. Kuntze;R. Berndt
吸附在 2H-NbSe2 上的 PTCDA 亚单层的低温扫描隧道显微镜显示，吸附层既不与基底晶格相称，也不与电荷密度波周期相称。观察到的 PTCDA 体态晶胞尺寸偏差很小，表明 PTCDA 薄膜的形成主要是分子间相互作用，而不是 PTCDA 和 2H-NbSe2 之间的相互作用。
Low-temperature scanning tunnelling microscopy of submonolayers of PTCDA adsorbed on 2H-NbSe2 reveals an adsorbate layer that is neither commensurate with the substrate lattice nor with the charge density wave periodicity. The observed smallness of deviations from the PTCDA bulk-state unit-cell dimensions indicates that PTCDA film formation is dominated by intermolecular interactions rather than by interaction between PTCDA and 2H-NbSe2.