In-situ TEM法によるMoOx/Al2O3 抵抗変化メモリのデバイス劣化観察
In-situ TEM法によるMoOx/Al2O3 抵抗変化メモリのデバイス劣化観察
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原位TEM法观察MoOx/Al2O3阻变存储器器件劣化
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
石川竜介，平田周一郎，福地厚，有田正志，高橋庸夫
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Li;R. Katsumura;M. K. Gronroos;A. Tsurumaki‐Fukuchi;M. Arita;H. Andoh;T. Morie;Y. Takahashi;石川竜介，平田周一郎，福地厚，有田正志，高橋庸夫
