Carrier Dynamics in Thin Germanium–Tin Epilayers
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DOI：
10.1021/acsaelm.0c00889
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发表时间：
2021-01
影响因子：
4.7
通讯作者：
E. Rogowicz;J. Kopaczek;J. Kutrowska-Girzycka;M. Myronov;R. Kudrawiec;M. Syperek
中科院分区：
文献类型：
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作者：
E. Rogowicz;J. Kopaczek;J. Kutrowska-Girzycka;M. Myronov;R. Kudrawiec;M. Syperek
硅基中红外光子学是一项新兴技术，其中第IV族锗锡（Ge 1-xSnx）二元合金可以在硅兼容光子学器件的发展中发挥基础作用。
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