Quaternary InAlGaN quantum-dot ultraviolet light-emitting diode emitting at 335 nm fabricated by an anti-surfactant method
Quaternary InAlGaN quantum-dot ultraviolet light-emitting diode emitting at 335 nm fabricated by an anti-surfactant method
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反表面活性剂法制备335 nm四元InAlGaN量子点紫外发光二极管
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Hirayama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Nakamura;T;Mima;K;H. Hirayama
