S.Fukatsu: "SiGe-based semiconductor-on-insulator substrate created by low-energy separation-by-implanted-oxygen" Applied Physics Letters. 72. 3485-3487 (1998)
S.Fukatsu: "SiGe-based semiconductor-on-insulator substrate created by low-energy separation-by-implanted-oxygen" Applied Physics Letters. 72. 3485-3487 (1998)
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S.Fukatsu：“通过注入氧低能量分离创建的基于 SiGe 的绝缘体上半导体衬底”《应用物理快报》。
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