1D semiconducting atomic chain of In and Bi on Si(001)
1D semiconducting atomic chain of In and Bi on Si(001)
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Si(001) 上 In 和 Bi 的一维半导体原子链
DOI：
10.1088/0953-8984/18/19/l03
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发表时间：
2006
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
J. Owen
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
D. Bowler;C. F. Bird;J. Owen
In以极低的通量沉积到Si(001)表面上的Bi纳米线模板上，产生了具有之字形外观的长而平的岛。结果表明，这些岛是In和Bi二聚体原子在纳米线中相互混合的结果，并沿着纳米线的每一半形成In-Bi二聚体原子链结构，In和Bi原子可以在其中分别进行有利的杂化-sp2(空p轨道)和p3(填充S轨道)。双之字形结构有六种不同的可能异构体，这是由于纳米线两侧链的不同排列造成的。紧束缚和密度泛函理论(DFT)对不同候选结构的模拟发现，由于相互排斥的双双库仑相互作用，其中三个结构具有比其他三个结构更高的能量。两个能量最低的异构体都将与填充状态STM图像中的双之字形外观相匹配。
Deposition of In onto a Bi nanoline template on the Si(001) surface at a very low flux produces long, flat islands with a zigzag appearance. We show that these islands result from the intermixing of the In and the Bi dimer atoms in the nanoline, and comprise an In–Bi atomic chain structure along each half of the nanoline in which the In and Bi atoms can take up favoured hybridizations—sp2 (with empty p orbital) and p3 (with filled s orbital) respectively. There are six different possible isomers of the double-zigzag structure, resulting from different arrangements of the chains on the two sides of the nanolines. Tight-binding and density functional theory (DFT) simulations of the different candidates find that three of these structures have a higher energy than the other three as a result of a repulsive Bi–Bi Coulomb interaction. The two lowest-energy isomers will both match the appearance of the double zigzag in filled-state STM images.
斯普利特大学（克罗地亚）
DOI：
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作者：
通讯作者：
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