Universal Theory of Si Oxidation Rate and Importance of Interfacial Si Emission

Universal Theory of Si Oxidation Rate and Importance of Interfacial Si Emission
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硅氧化速率的普遍理论和界面硅发射的重要性

DOI：
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发表时间：
1999
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Uematsu
M. Uematsu
中科院分区：
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文献类型：
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作者：
H. Kageshima;K. Shiraishi;M. Uematsu

文献摘要

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从理论上指出了界面发射Si原子在决定硅氧化速率中的重要作用，发展了考虑界面发射Si原子的氧化物生长速率普适理论。我们的理论可以解释的氧化物生长速率的整个范围内的氧化物厚度没有任何经验的修改，而在干氧化的氧化物厚度小于10 nm的速率不能解释与Deal-Grove理论。
The essential role that Si atoms emitted from the interface play in determining the silicon-oxidation rate is theoretically pointed out, and a universal theory for the oxide growth rate taking account of the interfacial Si-atom emission is developed. Our theory can explain the oxide growth rate for the whole range of the oxide thickness without any empirical modifications, while the rate for an oxide thickness of less than 10 nm in dry oxidation cannot be explained with the Deal-Grove theory.