The influence of reactor pressure on qualities of GaN layers grown by hydride vapor phase epitaxy
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DOI：
10.1016/j.tsf.2008.10.013
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发表时间：
2009-01
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
Xiancun Cao;Dan Xu;Haomin Guo;Cunding Liu;Z. Yin;Xue Li;Kai Qiu;W. Yunping
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xiancun Cao;Dan Xu;Haomin Guo;Cunding Liu;Z. Yin;Xue Li;Kai Qiu;W. Yunping
