Near-infrared pin Photodiode of Strain-enhanced Ge Layer on Si
Near-infrared pin Photodiode of Strain-enhanced Ge Layer on Si
复制标题
Si 上应变增强 Ge 层的近红外 pin 光电二极管
DOI：
--
复制
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
石川靖彦
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
葛谷樹矢;園井柊平;石川靖彦
