Embedded Nonvolatile Memory with STT-MRAMs and its Application for Nonvolatile Brain-Inspired VLSIs
Embedded Nonvolatile Memory with STT-MRAMs and its Application for Nonvolatile Brain-Inspired VLSIs
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具有 STT-MRAM 的嵌入式非易失性存储器及其在非易失性类脑 VLSI 中的应用
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
T. Endoh
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Osakabe;H. Akima;M. Sakuraba;M. Kinjo;S. Sato;T. Endoh
