パルスマグネットを用いた近藤半導体CeT2Al10 (T=Ru, Os, Fe)の圧力下磁気抵抗 II,
パルスマグネットを用いた近藤半導体CeT2Al10 (T=Ru, Os, Fe)の圧力下磁気抵抗 II,
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使用脉冲磁体 II 的近藤半导体 CeT2Al10 (T=Ru, Os, Fe) 在压力下的磁阻，
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
西岡孝,
中科院分区：
文献类型：
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作者：
近藤晃弘;金道浩一;中川史也;片岡真一;谷田博司;世良正文;川端丈;高畠敏郎;西岡孝,
