The substrate orientation dependence of In atom incorporation during the growth of (In,Ga)As on GaAs by molecular-beam epitaxy
The substrate orientation dependence of In atom incorporation during the growth of (In,Ga)As on GaAs by molecular-beam epitaxy
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分子束外延在 GaAs 上生长 (In,Ga)As 过程中 In 原子掺入的衬底取向依赖性
DOI：
10.1016/s0022-0248(97)00464-8
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发表时间：
1998
影响因子：
1.8
通讯作者：
B. Joyce
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Pak;M. Fahy;Xiao;B. Joyce
