In situ characterization of the nitridation of AIII–BV semiconductor surfaces by means of X-ray photoelectron spectroscopy
In situ characterization of the nitridation of AIII–BV semiconductor surfaces by means of X-ray photoelectron spectroscopy
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利用 X 射线光电子能谱对 AIII-BV 半导体表面氮化进行原位表征
DOI：
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发表时间：
2001
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
F. Bigl
中科院分区：
文献类型：
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作者：
J. Hecht;F. Frost;T. Chassé;D. Hirsch;H. Neumann;A. Schindler;F. Bigl
