Y.Jin et al: "Atomic Layer Epitaxy of GaAs by Using GaCl_3 and AsH_3" 1st Int.Symp.on Atomic Layer Epitaxy. (1990)

Y.Jin et al: "Atomic Layer Epitaxy of GaAs by Using GaCl_3 and AsH_3" 1st Int.Symp.on Atomic Layer Epitaxy. (1990)
复制标题

Y.Jin 等人:“使用 GaCl_3 和 AsH_3 进行 GaAs 原子层外延”第 1 届原子层外延 Int.Symp.。

DOI:
--
复制
发表时间:
--
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
--
中科院分区:
--
文献类型:
--
作者:

文献摘要

相似文献