High tunneling magnetoresistance in Fe/GaO/GaMnAs with metal/insulator/semiconductor structure
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金属/绝缘体/半导体结构的 Fe/GaO/GaMnAs 中的高隧道磁阻
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
K. Ando
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H. Saito;A. Yamamoto;S. Yuasa;K. Ando
