MBE法を用いた無加工２インチ Si 基板上 GaInNAs ナノワイヤ成長
MBE法を用いた無加工２インチ Si 基板上 GaInNAs ナノワイヤ成長
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使用 MBE 方法在未处理的 2 英寸 Si 衬底上生长 GaInNAs 纳米线
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
石川 史太郎
中科院分区：
文献类型：
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作者：
峰久 恵輔;橋本 英季;中間 海音;谷川 武瑠;行宗 詳規;石川 史太郎
