高分子半導体におけるアニオン交換を用いた新規ドーピング手法の原理の解明
高分子半導体におけるアニオン交換を用いた新規ドーピング手法の原理の解明
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阐明在聚合物半导体中使用阴离子交换的新掺杂方法的原理
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
山下侑
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yoshifumi Yasuoka;Joachim Friedrich Quack;山下侑;Yoshifumi Yasuoka;山下侑
