Magnetocrystalline anisotropy of the ferrimagnetic semiconductor CoCr2S4
Magnetocrystalline anisotropy of the ferrimagnetic semiconductor CoCr2S4
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DOI：
10.1016/0304-8853(80)90292-9
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发表时间：
1980
影响因子：
2.7
通讯作者：
A. Marais;M. Porte;I. Goldstein;P. Gibart
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Marais;M. Porte;I. Goldstein;P. Gibart
CoCr_2S_4是一种铁磁n型超导体，Tc = 227 K，K_1（77 K）= 3.53 × 105 erg cm-3，H_2退火为3 × 105 erg cm-3，S_2退火为3.7 × 105 erg cm-3。硫空位存在于生长态样品中，充当双电荷施主。它们是由Cr ~（2+）金属空位进行电荷补偿的，推测Co ~（3+）可能出现在A位。A位的各向异性主要为Co ~（2+），各向异性系数为~（13）× 105。少量的Co ~（3+）（Td中的3d ~ 6，5E）和Cr ~（2+）（B位D_3d对称中的3d ~ 4）产生大的正K_1值。
CoCr2S4is a ferrimagnetic n-type semiconductorTc= 227 K.K1(77 K) = 3.53 × 105erg cm-3for as-grown CoCr2S4, 3 × 105for H2annealed, and 3.7 × 105for S2annealed. Sulfur vacancies exist in as-grown samples which act as doubly charged donors. They are charge compensated by Cr2+metal vacancies and it is assumed that Co3+could appear in A site. The main anisotropy ≅ 3 × 105is due to Co2+in A site. A small amount of Co3+(3d6,5E in Td) and Cr2+(3d4in D3dsymmetry of B site) give large positiveK1values.