Charged point defects in semiconductors
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DOI：
10.1016/j.mser.2006.01.002
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发表时间：
2006-12
影响因子：
31
通讯作者：
E. Seebauer;M. Kratzer
中科院分区：
文献类型：
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作者：
E. Seebauer;M. Kratzer
