Fabrication of Metal-Nitride/Ge Contacts with Extremely Low Electron Barrier Height and Its Clarification of the Physical Origin
Fabrication of Metal-Nitride/Ge Contacts with Extremely Low Electron Barrier Height and Its Clarification of the Physical Origin
复制标题
极低电子势垒高度金属氮化物/Ge接触的制备及其物理起源的阐明
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H. Nakashima
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Yamamoto;D. Wang;H. Nakashima
