High-Al content AlGaN pn diode with p-AlGaN improved by the UV wet oxidation
High-Al content AlGaN pn diode with p-AlGaN improved by the UV wet oxidation
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高铝含量 AlGaN pn 二极管，采用 UV 湿法氧化改进的 p-AlGaN
DOI：
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发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Shinji Nozaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Xiaojia Zhang;Jun Morimoto;Kazuo Uchida;and Shinji Nozaki
