Comprehensive Understanding of Surface Roughness Limited Mobility in Unstrained- and Strained-Si MOSFETs by Novel Characterization Scheme of Si/SIO2 Interface Boughness
Comprehensive Understanding of Surface Roughness Limited Mobility in Unstrained- and Strained-Si MOSFETs by Novel Characterization Scheme of Si/SIO2 Interface Boughness
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通过 Si/SIO2 界面粗糙度的新颖表征方案全面了解无应变和应变 Si MOSFET 中的表面粗糙度限制迁移率
DOI：
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发表时间：
2009
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S.Takagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y.Zhao;H.Matsumoto;T.Sato;S.Koyama;M.Takenaka;S.Takagi
