Dependence of photoluminescence and electrical properties with rapid thermal annealing in nitrogen-implanted ZnO films
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DOI：
10.1016/j.tsf.2007.01.048
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发表时间：
2007-06
期刊：
影响因子：
2.1
通讯作者：
V. Vaithianathan;S. Hishita;J. Moon;S. S. Kim-S.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
V. Vaithianathan;S. Hishita;J. Moon;S. S. Kim-S.
