Elemental depth profiles and plasma etching rates of positive-tone electron beam resists after sequential infiltration synthesis of alumina
Elemental depth profiles and plasma etching rates of positive-tone electron beam resists after sequential infiltration synthesis of alumina
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连续渗透合成氧化铝后正电子束抗蚀剂的元素深度分布和等离子体蚀刻速率
DOI：
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发表时间：
2018
影响因子：
1.5
通讯作者：
and Masaru Nakagawa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yuki Ozaki;Shunya Ito;Nobuya Hiroshiba;Takahiro Nakamura;and Masaru Nakagawa
