A Ga2O center dot 11Al(2)O(3) nanonet prepared by interfacial reaction growth approach and its application in fabricating GaN nanowires
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界面反应生长法制备Ga2O中心点11Al(2)O(3)纳米网及其在制备GaN纳米线中的应用
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Wu Kai
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Wang Yu;Wen Wen;Wu Kai
