IGBT型直流用モデル遮断器の突入電流遮断限界とその要因考察
IGBT型直流用モデル遮断器の突入電流遮断限界とその要因考察
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IGBT型直流模型断路器励磁涌流开断极限及其影响因素的考虑
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
横水康伸，大橋亮介，玉尾一真，松村年郎．
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yasushi Minamitani;Yuta Kobayashi;Riku Kageyama;Kenji.Tamura;横水康伸，大橋亮介，玉尾一真，松村年郎．
