An Impedance Adapting Compensation Scheme for High Current NMOS LDO Design

An Impedance Adapting Compensation Scheme for High Current NMOS LDO Design
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高电流NMOS LDO设计的阻抗自适应补偿方案

DOI：
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发表时间：
2021
期刊：
IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs
影响因子：
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通讯作者：
Wanyuan Qu
Wanyuan Qu
中科院分区：
其他
文献类型：
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作者：
Haixiao Cao;Xu Yang;Wuhua Li;Yong Ding;Wanyuan Qu

文献摘要

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