Enhancement of critical current density by borohydride pinning in H-doped MgB2 bulks
Enhancement of critical current density by borohydride pinning in H-doped MgB2 bulks
复制标题
H 掺杂 MgB2 块体中硼氢化物钉扎提高临界电流密度
DOI：
10.1063/1.5064498
复制
发表时间：
2019-03
影响因子：
3.2
通讯作者：
Li Qian
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Cai Qi;Zhang Tong-Yi;Zhao Qian;Zhang Zhiwei;Liu Yongchang;Li Qian
本研究发现硼氢化物钉扎在H掺杂的MgB2块体的临界电流密度的显着增强。通过在H2气氛中非原位合成MgB2块体和原位合成H捕获的硼形成第二相硼化物
The present study discovers the significant enhancement of critical current density by borohydride pinning in H-doped MgB2 bulks. Second-phase borohydrides are formed by synthesizing MgB2 bulks ex situ in an H2 atmosphere and in situ with H-trapped boron
登录
查看更多内容
影响因子：
4.5
作者：
Zhenguo Huang;A. Całka;Huakun Liu
通讯作者：
Zhenguo Huang;A. Całka;Huakun Liu
影响因子：
3.6
作者：
C. Jiang;H. Hatakeyama;H. Kumakura
通讯作者：
C. Jiang;H. Hatakeyama;H. Kumakura
影响因子：
3.6
作者：
Mackinnon, I. D. R.;Shahbazi, M.;Talbot, P. C.
通讯作者：
Talbot, P. C.
影响因子：
4.9
作者：
G. Severa;E. Rönnebro;C. Jensen
通讯作者：
G. Severa;E. Rönnebro;C. Jensen
影响因子：
6.2
作者：
Q. Cai;Yong-chang Liu;Zongqing Ma;Liming Yu;J. Xiong;Huijun Li
通讯作者：
Q. Cai;Yong-chang Liu;Zongqing Ma;Liming Yu;J. Xiong;Huijun Li